Последние комментарии

  • Сергей Т.
    и что?Первый полуфинал автомобильного шоу талантов «Россия рулит!» на НТВ
  • Себастьян Перейра негоциант
    А зачем притворяться слушать неинтересного человека и тратить своё время?Как притвориться, что вы очень внимательно слушаете
  • Димьян Ч
    Тут все просто, сноска о запрете в РФ той или иной организации, распространяется на те организации, чья деятельность ...Почему "свидетели Иеговы" - в списке запрещенных организаций, а НСДАП и СС - нет?

АО «ЭОС» запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия

АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия.

Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные.

Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

В настоящее время «ЭОС» — единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) — сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др.

Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы — до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений — примерно 1 млрд рублей, — сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин .

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа — до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего — до 3 млрд рублей.

АО «Экран-оптические системы» — один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в России. Приборы под брендом «ЭОС» работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с ноля до 95%.

Источник ➝

Популярное в

))}
Loading...
наверх